Etude de l’effet des contraintes mécaniques sur les propriétés électroniques des transistors MOSFET nanométriques.

Abstract

L'industrie de la microélectronique s'oriente toujourset de plus en plus vers la miniaturisation des transistors MOSFET. Ce progrès de miniaturisation est accompagné par la réduction de la taille des transistors élémentaires. Cependant, cette miniaturisation a créée plusieurs effets parasites parmi eux : DIBL, SCE et même des résistancessérie. Pour contrer ces effets parasites, de nouvelles architectures FD-SOI et SON sont proposées. Sauf que ces dernières ne sont pas sans effet sur la difficulté technologique. Une autre solution est alors proposée pour repousser les limites de l’architecture conventionnelle du MOSFET, en utilisant des transistors à canal contraint par procédé technologique.Dans ce mémoire, nous évaluons l’effet des contraintes mécaniquespour améliorer les propriétés du transport dans les canaux de conductionultra-courts.