Etude du premier principe des propriétés structurales et électroniques des composés BeX (X=S, Se et Te)

Abstract

Une méthode de calcul Ab-Initio a été utilisée pour étudier les propriétés structurales et électroniques de chalcogénures de béryllium BeS, BeSe et BeTe, en utilisant la méthode linéaire des orbitales Muffin-Tin (FP-LMTO). L'énergie de d'échange-corrélation est décrite dans l'approximation de la densité locale (LDA) en utilisant le paramétrage de Perdew et Wang.D'après les résultats des propriétés électroniques, nous constatons que ces matériaux ont des bandes interdites indirectes. Les paramètres structuraux dans la phase blende de zinc (B3) sont déterminés. Une cohérence a été montrée entre nos résultats et ceux d'autres calculs théoriques et d’autres données expérimentales.