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dc.contributor.authorBoucif, Khadidja-
dc.contributor.authorBenaouali, Amel-
dc.date.accessioned2023-05-15T08:36:30Z-
dc.date.available2023-05-15T08:36:30Z-
dc.date.issued2016-06-01-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/11507-
dc.descriptionA method of calculation Ab-Initio was used to study the structural and electronic properties of beryllium chalcogénures BeS, BeSe and BeTe, by using the method linear of orbital Muffin-Chock (FP-LMTO). The energy of exchange-correlation is described in the approximation of the local density (LDA) by using the parameter setting of Perdew and Wang . after the results of the electronic properties, we note that these materials have indirect forbidden bands. The structural parameters in the phase sphalerite of zinc (B3) are given. A coherence was shown between our results and those of other theoretical calculations and other experimental dataen_US
dc.description.abstractUne méthode de calcul Ab-Initio a été utilisée pour étudier les propriétés structurales et électroniques de chalcogénures de béryllium BeS, BeSe et BeTe, en utilisant la méthode linéaire des orbitales Muffin-Tin (FP-LMTO). L'énergie de d'échange-corrélation est décrite dans l'approximation de la densité locale (LDA) en utilisant le paramétrage de Perdew et Wang.D'après les résultats des propriétés électroniques, nous constatons que ces matériaux ont des bandes interdites indirectes. Les paramètres structuraux dans la phase blende de zinc (B3) sont déterminés. Une cohérence a été montrée entre nos résultats et ceux d'autres calculs théoriques et d’autres données expérimentales.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité Ibn Khaldounen_US
dc.subjectFP-LMTOen_US
dc.subjectChalcogénures de bérylliumen_US
dc.subjectLDA, DFTen_US
dc.subjectSemi-conducteurs II-VIen_US
dc.titleEtude du premier principe des propriétés structurales et électroniques des composés BeX (X=S, Se et Te)en_US
dc.typeThesisen_US
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Chapitre I.pdf858,29 kBAdobe PDFVoir/Ouvrir
CHAPITR II.pdf728,27 kBAdobe PDFVoir/Ouvrir
CHAPITRE III.pdf888,84 kBAdobe PDFVoir/Ouvrir
Résué.pdf161,05 kBAdobe PDFVoir/Ouvrir
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