Elaboration des couches minces de ZrO2 préparées par la technique Dip – coating

Abstract

Des films de ZrO2 non dopé et dopé au Sn et au Ni ont été préparés en utilisant le procédé Sol-gel et déposées selon la technique dip-coating. Les diffractogrammes de diffraction des rayons X montrent une structure tétragonale avec une orientation préférentielle selon la réflexion (111). La taille moyenne des grains des échantillons varie de 9,53 à 12,64 nm pour ZrO2:Sn et de 9,53 à 22,9 nm pour ZrO2:Ni. L'analyse thermique a donnée des pics endothermiques de l'ordre de 84 à 90 °C et des pics exothermiques de l'ordre de 489 à 531°C. Les spectres infrarouges à transformée de Fourier (FTIR) représentaient des bandes situées à 612 et 736cm% 1, qui sont respectivement attribuées au mode d'étirement et aux vibrations asymétriques des liaisons Zr-O et O-Zr-O. Tous les films ont présenté une transmittance élevée dans la plage visible supérieure à 60% et la bande interdite (gap optique Eg) diminue de 4,085 à 4,061 eV pour ZrO2:Sn et varie de 3,99 à 3,92 eV pour ZrO2:Ni. Les mesures d'impédance montrent que le circuit équivalent des échantillons est un RpCp où Cp est la capacité de la couche et Rp sa résistance. La conductivité électrique suit la loi d'Arrhenius avec deux énergies d'activation.