Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/4402
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dc.contributor.authorMAHFOUD, Mohamed-
dc.date.accessioned2022-11-10T08:43:39Z-
dc.date.available2022-11-10T08:43:39Z-
dc.date.issued2016-06-05-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/4402-
dc.description.abstractous avons présenté dans ce chapitre les différentes phénomènes de dissociation des molé- cules, ainsi que le dispositif expérimental utilisé en ESD. Ce chapitre représente une base scientifique pour bien comprendre le phénomène de la dé- sorption des ions H¯ provoqués par un bombardement électronique de faible énergie, à partir de silicium poreux.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisheruniversité ibn khaldoun-tiareten_US
dc.subjectLA TECHNIQUE ESD,le matériau,Les vibrations moléculaires.en_US
dc.titleLa désorption des ions H- à partir de silicium poreux par impact des électrons de trait faible énergieen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master

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