Simulation de la croissance de l’arséniure de gallium GaAs par le procédé de dépôt en phase vapeur chimique CVD

Abstract

Le travail présenté dans ce mémoire porte sur la simulation de la croissance d’arséniure de gallium par le procédé de dépôt en phase vapeur chimique C.V.D. Cette technique permet d’obtenir des dépôts ayant des propriétés très intéressantes pour des applications en optoélectronique. Pour déterminer la distribution spatiale de déférentes espèces générées par la décomposition du mélange gazeux Ga(C2H5)3 et AsH3 sous l’effet de la température élevée du substrat et le taux de croissance de GaAs, nous avons utilisé le modèle fluide qui se base sur la résolution des équations de continuités couplées aux équations de Navier- Stocks et l’équation de chaleur. Pour résoudre ce système d’équations, nous avons utilisé le logiciel COMSOL. Enfin nous avons mené une étude paramétrique du taux de croissance de GaAs en fonction des paramètres tels que la vitesse de l’écoulement, la température du substrat, la concentration du mélange gazeux (Ga(C2H5)3 / AsH3).