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Titre: Elaboration et Caractérisation de Couches Minces SrCo2O4, non Dopées et Dopées Zn par Voie Sol-gel
Auteur(s): AHMED, Asma
Mots-clés: Généralités sur les spinelles,Procédé sol-gel,Elaboration des couches mines de SrCO2O4 non dopée et dopée Zn et les techniques de caractérisation.
Date de publication: 2021
Editeur: université ibn khaldoun-tiaret
Résumé: Il existe des méthodes variées pour réaliser des dépôts des couches de SrCo2O4 non dopées et dopées Zn. L'élaboration des couches minces de SrCo2O4 a été faite, en utilisant un dispositif de dépôt appelé "Dip-coating". Ce travail a été consacré à l’effet du dopage par Zn sur les propriétés structurales, optiques et électriques des couches minces et des poudres non dopés et dopés 1%,3% et 5% en zinc. Ces couches ont été analysés par diffraction des rayons X (DRX), spectroscopie UV-Visible, spectroscopie infrarouge et la spectroscopie d’impédance complexe. recuites à une température de 500°C. Pour cela, nous avons utilisé plusieurs méthodes expérimentales d’investigations, dont la diffraction des rayons X (DRX), la spectroscopie de transmission optique (Infrarouge et UV-Visible) et la spectroscopie de l'impédance complexe. L'analyse par diffraction des rayons X (DRX) montre que tous les films déposés, montre des pics distincts sur DRX qui peuvent être attribuées à la structure cubique spinelle de Co3O4 dans laquelle l’atome Co ((NO3)2.6H2O) a été substitué par un atome de Sr (NO3)2. Les spectres infra-rouge montrent deux bandes d'absorption distinctes et ont été observées dans la plage de nombres d'onde 500-616 cm-1 et 667-705 cm-1 . L'analyse des spectres de transmission optique en fonction de la longueur d'onde montre que le SrCo2O4 est un matériau semi-conducteur à gap optique qui varie de 1.35 eV pour le SrCo2O4 non dopé à 1.14 eV pour le SrCo2O4 dopé 5% en zinc. Pour la spectroscopie d'impédance complexe, on constate que La résistance de SrMn2O4 diminue de 48.79 ? pour le non dopé à 33.55? pour l'échantillon dopé à 5%, par contre la capacité augmente avec l'augmentation du taux de dopage et le circuit obtenu est un circuit RC en parallèle.
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