Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/3469
Title: Contribution à l’étude des propriétés structurales et électroniques du quaternaire BxInyGa1-x-yN par simulation numérique.
Authors: Larbi, Mimouna
Keywords: Généralités sur les semi-conducteur III-V,Théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT).
Issue Date: 30-سبت-2020
Publisher: université ibn khaldoun-tiaret
Abstract: Dans notre travail on a utilisés une simulation numérique basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), utilisant la méthode des ondes planes augmentées et linéarisées à potentiel complet (FP-LAPW) implémentée dans le code de calcul WIEN2k. Dans cette approche l’approximation du Gradient Generalise (GGA) a été utilisée pour la détermination du potentiel d’échange et de corrélation. Dans un premiers temps nous avons effectué une étude des propriétés structurales et électroniques Le calcul de la structure de bandes a montré l’existence d’un gap direct au point (G- G) pour BN et les alliages BxInyGa1-xyN tandis qu’au-delà de ce pourcentage l’alliage est devenu à gap indirect suivant ( G -X) notamment la variation de grandeurs structurales. La déviation des paramètres de maille et des modules de compressibilité en fonction de la concentration par rapport à la loi de végard a été observée pour les alliages. On a étudié la variation du gap d?énergie en fonction de la concentration.
URI: http://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/3469
Appears in Collections:Master

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
TH.M.PHY.FR.2020.100.pdf2,36 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.