Etude des propriétés physiques de l’effet du taux de dopage du Cobalt sur la matrice SnO2 déposés en couches minces par spray pyrolyse ultrasonique

Abstract

L’oxyde d’étain constitue un très bon candidat pour remplacer l’ITO dans la réalisation des cellules solaires et dans tant d’autres applications en magnéto-optoélectroniques. Nous avons pu déposer des films ultra-nanocristallins de SnO2 dopés cobalt sur des substrats de verre et de silicium, en utilisant une technique très simple dite spray pyrolyse ultrasonique à la pression atmosphérique ambiante et une température des substrats fixé 450 °C qui a été développée et montée au sein même de l’équipe de Conception et modélisation de matériaux pour l’Optoélectronique du laboratoire de Génie Physique. Les résultats obtenus à partir des mesures de FTIR, Raman et UV-Vis-NIR indiquent bien que le Co est incorporée dans la structure tétragonale rutile du SnO2 en se substituant aux cations de Sn avec la formation de chaines de liaisons avec des configurations d’oxydes de cobalt