Simulation numérique de la jonction tunnel Fe/MgO/Fe

Abstract

Les jonctions tunnel Fe/MgO/Fe sont très étudiées car elles présentent de fortes valeurs de magnétorésistance par effet tunnel (TMR). Dans la première partie de ce travail, nous avons décrit certains aspects de cette technologie qui est essentiellement basée sur la superposition de deux couches ferromagnétiques séparées par une couche isolante dont l’épaisseur est de l’ordre du nanomètre. Cette phénomène est appelé magnétorésistance tunnel (TMR). Nous avons aussi présenté différents modèles pour décrire le comportement magnétorésistif d’une jonction tunnel tels que le modèle des électrons libres de Fermi, le modèle de Jullière, celui de Bardeen et enfin le modèle de Slonczewski. Nous avons conclu que ces modèles prédisent des résultats assez voisins de sorte qu’à l’heure actuelle, les expériences ne permettent pas définitivement d’en écarter certains.