Etude par simulation numérique d’une cellule solaire à base de silicium par PC1D

Abstract

L’objectif de notre travail est l'étude numérique par simulation d’une cellule solaire à base de silicium par PC1D, nous avons pu mettre en évidence l'effet des épaisseurs et du dopage de l’émetteur et du collecteur sur les caractéristiques électrique de la cellule solaire. Ces caractéristiques sont la caractéristique courant-tension (I-V). A partir de la caractéristique (I-V), les paramètres de sortie de la cellule sont calculés. Ces paramètres sont : la densité de courant de court-circuit (ICC), la tension de circuit ouvert (VCO) et le rendement de conversion photovoltaïque (?) de la cellule. L’étude numérique par simulation de la cellule solaire à base de silicium montre que l’optimisation des paramètres de conception de nos cellules a permis d’obtenir de bons résultats.