Modélisation Et Simulation D’un Micro-accéléromètre Triaxial à base De Technologie Du Silicium

Abstract

Le développement de la technologie microélectronique nous permet aujourd’hui la réalisation d’une grande variété de capteurs miniaturisés de faible coût, de taille très réduite et d’une très faible consommation d’énergie. La conception de tels capteurs doit passer par une étude détaillée et rigoureuse pour optimiser leurs performances. Nous nous somme proposé dans ce mémoire de mener une étude sur les micro-capteurs d’accélération à base de technologie Silicium. Nous avons fait une recherche bibliographique sur les différents types de ces capteurs, pour pouvoir en choisir la meilleure option en termes d’architecture et de caractéristiques cristallographique du Silicium. Ensuite, nous avons procédé à une modélisation et une simulation de la réponse mécanique de la structure du capteur, et de la réponse électrique statique de son circuit de transduction basé sur des jauges piézorésistive. A la fin, et pour pouvoir optimiser les caractéristiques de sortie de notre capteur, nous avons étudié l’effet de la température sur sa réponse globale pour pouvoir juger de la meilleure combinaison physico-chimique (concentration du dopage, type du semi-conducteur, architecture du capteur, …) qui permettent une grande immunité contre la dérive thermique.