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dc.contributor.authorSANA, Bakhta-
dc.date.accessioned2022-10-24T07:47:22Z-
dc.date.available2022-10-24T07:47:22Z-
dc.date.issued2016-05-26-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tiaret.dz:8080/jspui/handle/123456789/2703-
dc.description.abstractLe disulfure d’étain SnS2 est constitue ainsi un très bon candidat pour la réalisation des cellules solaires et dans tant d’autres applications en optoélectroniques. Des couches minces de SnS2 déposé à des températures de substrats (200, 250, 300 e 350 °C) ont été préparées avec succès par la méthode très simple : la spray pyrolyse ultrasonique qui a été développée et montée au sein même de l’équipe de Conception et modélisation de matériaux pour l’Optoélectronique C2MO du laboratoire de Génie Physique Université Ibn Khaldoun - Tiaret La spectroscopie de diffusion Raman nous a confirmé que notre matériaux est bein du SnS2 de structure hexagonale est que l’effet température Ts est remarquable par la présence de la bande large sur les spectres Raman de nos films autour de 314 cm-1 et que le film mince déposé à 300 °C présente plus d’ordre que les autres échantillons. Les spectres d’absorption infrarouge FTIR de tous nos films, montrent bien la présence de la bande d’absorption autour de 350 cm-1 attribué aux modes de vibrations. Par ailleurs ; nous avons remarqué aucune apparition d’autres bandes dues à d’autres phases dans nos échantillons, qui sont dues à la présence de carbone issue des solvants utilisés lors de la préparation de la solution de départ.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisheruniversité ibn khaldoun-tiareten_US
dc.subjectGénéralités sur SnS et SnS2, Les différentes techniques d’élaboration des couches minces et technique de spray ultrasonique.en_US
dc.titleETUDE MICROSTRUCTURALE ET OPTIQUE DES COUCHES MINCES DU DISULFURE D’ETAIN (SnS2) DEPOSEES PAR SPRAY PYROLYSE ULTRASONIQUEen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master

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