Déposition des couches minces par pulvérisation DC magnétron dans la fabrication des composants électroniques

Abstract

Les couches minces occupent une place prépondérante dans la réalisation des composants électroniques et la pulvérisation cathodique est l'une des méthodes de fabrication de ces couches minces. L'énergie et la distribution angulaire des atomes sont considérées comme les deux paramètres les plus influents dans l'optimisation de la pulvérisation cathodique et, par conséquent, sur le dépôt. Nos recherches peuvent être considérées comme une première étape pour calculer le rendement de pulvérisation cathodique de deux semiconducteurs : le silicium et le germanium et de deux alliages semi-conducteurs : Gallium Arsenide et dioxyde de silicium : collision avec des ions xénon, argon et néon à l'aide d'un logiciel très développé appelé SRIM (Stopping and Range of Ions in Matter) avec des angles variés.