Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/2630
Affichage complet
Élément Dublin CoreValeurLangue
dc.contributor.authorDjelloudi, Amina-
dc.contributor.authorKhaoui, Djamila-
dc.date.accessioned2022-10-23T09:18:54Z-
dc.date.available2022-10-23T09:18:54Z-
dc.date.issued2015-06-07-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tiaret.dz:8080/jspui/handle/123456789/2630-
dc.description.abstractDans ce travail nous avons étudié des propriétés physico chimiques des couches mince d’oxyde de Nickel déposées par pulvérisation magnétron réactive(DC) à partir d’une cible pur de Nickel (99,99%).En effet les propriétés optiques, structurales et électriques des couches minces d’oxyde de nickel préparées par pulvérisation magnétron DC dans une atmosphère réactive composée d'argon et d'oxygène pur d’une cible de Nickel ont été étudiées. Nous avons mis en évidence l’influence de la tension de la cathode en fonction du taux d’oxygène dans le mélange gazeux et du courant de décharge sur les propriétés physiques et chimiques des couches minces. L’objectif de ce mémoire était d’améliorer les performances des cellules solaires organiques à travers l’utilisation d’une couche tampon inorganique comme couche collectrice sélective à l’interface ITO / couche active dans la cellule photovoltaïque qui peut s’avérer comme une solution prometteuse. Notre choix s’est donc porté sur l’oxyde de Nickel qui est un semiconducteur de type P déposé par PVD sur les électrodes.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisheruniversité ibn khaldoun-tiareten_US
dc.subjectEtat de l’art,Techniques de dépôt et caractérisations,en_US
dc.titleEtude des propriétés physico chimiques des couches minces d’oxyde de Nickel déposées par pulvérisation cathodiques assistée d’un magnétron pour l’accroissement de l’efficacité des cellules photovoltaïquesen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
memoire.pdf3,48 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.