Elaboration et caractérisation des films d’oxyde d’étain pour des applications en optoélectronique

Abstract

Dans ce travail, nous avons préparé par le procédé sol-gel des couches minces d’oxyde d’étain (SnO 2 ) non dopé et dopé 2.5% et 10% en cobalt. La caractérisation des échantillons a été réalisée en utilisant la diffraction des rayons X, la spectroscopie d’absorption infrarouge FTIR, la spectrophotométrie UV-visible et la spectroscopie d'impédance complexe. La diffraction des rayons X, nous a permet que la substitution sous l’effet du dopage entraine une réduction des paramètres de la maille cristallographique et la tailles des cristallites diminue lorsqu’on augmente le taux de dopage. Les films ainsi déposés, présentent une bonne transparence dans le visible qui varie entre 80% et 95% selon les paramètres de dépôt et le traitement thermique. Le gap optique (Eg) varie de 3.88 à 4.11 eV, en fonction du taux de dopage et du nombre de couches