Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/11594
Affichage complet
Élément Dublin CoreValeurLangue
dc.contributor.authorAMMARI, Abdelkader-
dc.date.accessioned2023-05-16T08:25:28Z-
dc.date.available2023-05-16T08:25:28Z-
dc.date.issued2012-12-23-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/11594-
dc.description.abstractDans ce travail nous avons préparé des couches minces de l’oxyde d’étain SnO2 non dopées et dopées à l’Aluminium par la voix sol-gel sur des substrats en verre «pyrex» à partir des sels métalliques, le chlorure d’étain (II) hydraté et le chlorure d’Aluminium AlCl3 :6H2O, dissous dans une solution de l’éthanol. Nous avons ensuit effectué des analyses structurales, optiques et électriques par différentes techniques de caractérisation : La microscopie optique, la DSC, la spectroscopie RAMAN, la méthode des quatre pointes, la spectrophotométrie UVvisible, la spectroscopie infrarouge (FTIR) et la spectroscopie d’impédance complexe. Les résultats expérimentaux obtenus ont permis de vérifier que les couches minces de SnO2 sont relativement uniformes sur les substrats. Les mesures optiques ont montré que les couches déposées de SnO2 présentent une bande interdite ‘Gap’ de 3.71eV proche de celle de SnO2 cristallin. Les mesures électriques ont révélées que la conductivité électrique est de l’ordre de (10-4 à 10-3 Ω-1.m-1). Par ailleurs, l’effet des joints de grains devient plus dominant face à la contribution des grains à la conduction électrique dans les couches minces dopées en Aluminium.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité IBN KHALDOUN- Tiareten_US
dc.subjectnano-cristaux, semi-conducteurs, sol-gel, l'hydrolyse, la condensation, des solsen_US
dc.titleSynthèse et caractérisation physique des sol-gels d’oxyde d’étain dopé Aluminiumen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Magister

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
Ammari Abdelkader 2012.pdf4,11 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.