Etude par simulation des propriétés du composé quaternaire BxGayIn1-x-yAs

Abstract

Dans ce mémoire, nous nous sommes intéressés à l’étude par simulation des propriétés structurales et électroniques du composé quaternaires BxGayIn1-x-yAs. La compréhension des propriétés structurales et électroniques des composés à base de semi-conducteurs semble aujourd’hui être une voie très prometteuse pour le développement de la nanotechnologie. Ainsi, les semi-conducteurs sont devenus irremplaçables et jouent un rôle très important par rapport à la révolution qu’a connue ce domaine. Les semi-conducteurs III-V sont une classe particulière des semi- conducteurs avec des propriétés contrôlées selon le besoin exprimé. Ils offrent la possibilité d’obtenir tout un panel d’alliages avec des propriétés variées