Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/4771
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dc.contributor.authorBoumaaza, fatima zohra-
dc.contributor.authorLabdi, fatma zohra-
dc.date.accessioned2022-11-14T10:53:05Z-
dc.date.available2022-11-14T10:53:05Z-
dc.date.issued2020-09-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/4771-
dc.description.abstractL’implantation ionique est une des techniques les plus utilisés dans l'industrie pour le dépôt des couches minces, ce procédé consiste à arracher les atomes et implantés des ions à une surface métallique suite au bombardement de cette surface des ions à faible énergétiques, généralement crées par un plasma dans un gaz inerte. La distribution des ions au cours de l’implantation est considéré comme un traitement de surface, dont nous parlerons tout le long de manuscrit permet d’obtenir des couches minces avec une bonne adhérence et des propriétés qui sont techniquement contrôlables par des paramètres des systèmes Ion-Cible, l’objectif de cette mémoire est la caractérisation fine du processus de pulvérisation et de déplacement des atomes dans une cible monocristallineen_US
dc.language.isofren_US
dc.publisheruniversité ibn khaldoun-tiareten_US
dc.subjectnteraction Ion-Cible,Le phénomène depulvérisation,Code et simulation numérique.en_US
dc.titleSimulation des Collisions Atomiques sur des Surfaces (fcc) par la Méthode de dynamiques Moléculaireen_US
dc.typeThesisen_US
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