Effet du taux de dopage du Bismuth (Bi) sur les propriétés physiques du SnO2 déposé en couches minces par spray pyrolyse ultrasonique

Abstract

L’oxyde d’étain constitue ainsi un très bon candidat pour remplacer l’ITO dans la réalisation des cellules solaires et dans tant d’autres applications en magnétooptoélectroniques. Des couches minces de SnO2 dopé Bi ont été préparées avec succès par la méthode très simple : la spray pyrolyse ultrasonique qui a été développée et montée au sein même de l’équipe de Conception et modélisation de matériau pour l’Optoélectronique C2MO du laboratoire de Génie Physique. La spectroscopie de diffusion Raman nous a confirmé que notre matériaux est bien du SnO2 de structure rutile est que l’effet du bismuth est remarquable par la présence de la bandes de diffusion sur les spectres Raman de nos films autour de 140 cm-1 et 498 cm-1 . Les spectres de transmission de nos films indiquent bien une forte transparence dans le visible et diminuent avec l’augmentation du taux de dopage au bismuth. Le gap optique et diminue, mais il reste de l’ordre de 3.70 eV indiquant le caractère métallique de notre matériau.