Etude théorique des propriétés structurales, électroniques des semi-conducteurs GaAs et AlAs

Abstract

Dans ce projet, nous nous sommes intéressées par à l’étude théorique du GaAs et AlAs en utilisant des méthodes ab initio pour étudier les propriétés structurales et électroniques en utilisant la méthode FP-LMTO (lineare muffin-tin orbital) dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). L’énergie d’échange et de corrélation est décrite dans l’approximation de la densité locale (LDA) en utilisant le code WIEN2K. En premier abord, nous avons repris les propriétés physiques précisons les propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs III-V GaAs et AlAs et en les comparant avec les résultats théoriques.