Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/4090
Affichage complet
Élément Dublin CoreValeurLangue
dc.contributor.authorSAHRAOUI, Abdelkader-
dc.date.accessioned2022-11-08T08:21:33Z-
dc.date.available2022-11-08T08:21:33Z-
dc.date.issued2013-06-26-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/4090-
dc.description.abstractNous avons déposés des couches minces de SnO2 pur et dopé Mg avec différents pourcentage (0,1,3,5,7,9 at %) par la technique spray pyrolyse ultrasonique sous pression atmosphérique. Nous avons étudié les propriétés optiques et électriques en utilisant la spectroscopie d’absorption infrarouge (FTIR), la spectroscopie optique dans l’UV-Vis-NIR et les mesures électriques. Les spectres d’absorption infrarouge FTIR de tous nos films, montrent bien la présence de la bande d’absorption autour de 610 cm-1 est attribué au mode de vibration Stretching des liaisons Sn-O et celui autour de 450-460 cm-1 est attribué aux modes de vibrations de Sn=O. L’effet Moss-Burstein est conservé pour un dopage par le Mg inferieur à 3%. Au-delà de 3% on remarque qu’il y a une diminution du gap en fonction du taux de dopage. La résistivité électrique diminue à partir de 1 at % du taux de dopage au magnésium jusqu’au 3 at % puis une augmentation avec le taux de dopage. L’augmentation de la résistivité est due à la diminution de la mobilité des électrons.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisheruniversité ibn khaldoun-tiareten_US
dc.subjectspray pyrolyse ultrasonique, SnO2, FTIR , UV-Vis-NIR, Effet Moss-Burstein.en_US
dc.titleEtude par les mesures optoélectroniques et vibrationnelles de l’effet du dopage du SnO2 par le Magnésiumen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
TH.M.PHY.FR.2013.161.pdf2,2 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.