Quantification des paramétres caractéristiques d'une homojonction P-N Appliquer a échantillon au silicium diode IN 5227

Abstract

La caractéristique électrique courant-tension est très importante puisqu’elle décrit le fonctionnement et les performances des dispositifs électroniques, particulièrement aux faibles niveaux d’injection (faibles polarisation). Dans le cadre de ce mémoire de Master, nous nous sommes intéressés à un échantillon à homojonction, réalisé par la croissance de Silicium (Si). Afin de mettre en évidence les processus de transport électronique dans un composant à base de jonctions ou d’hétérojonctions p- n, nous avons mis au point une technique expérimentale simple pour quantifier les courants de fuites et corriger les caractéristiques expérimentales courant-tension. Cette technique a été appliquée avec succès sur un composant industriel au silicium.