Contribution à L'étude des propriétés structurales et électronique du ternaire In1-xGaxN par la méthode (FP-LMTO)

Abstract

Dans ce travail, nous avons présenté une étude sur les propriétés structurales, électroniques de l’alliage InGaN. Les calculs ont été effectués par la méthode dite FP-LMTO (Full Potential –Linearized Muffin Tin Orbitals), basée sur le formalisme de la fonctionnelle de la densité (DFT), en utilisant l’approximation de la densité locale (LDA). Le code de calcul adopté à cette méthode est le code Mstudio Mindlab. Ceci nous a permis de déterminer le paramètre de maille (a0) optimisé, la structure de bandes des binaires GaN, InN ainsi que le ternaire InGaN. Nous avons trouvé que nos résultats sont en accord avec les données expérimentales et celle obtenues par d’autres méthodes.