L’effet de l’insertion de l’atome de Bore sur les propriétés électroniques des deux binaires InAs et InN par simulation numérique

Abstract

A cause de leurs propriétés et caractéristiques fascinantes, les matériaux semi-conducteurs sont devenus à la base de plusieurs applications couvrant pratiquement tous les domaines, de l’infiniment petit, nanotechnologie jusqu’aux applications militaires et spatiale. Les recherches relatives aux caractéristiques optoélectroniques, mécaniques, thermodynamiques, magnétiques,…etc. sont réparties en trois grands axes : les études théoriques, la conception et la synthèse expérimentales et les simulations numériques. La possibilité de concevoir et de fabriquer des composants électroniques à l’aide des alliages semi-conducteurs binaires, ternaires ou quaternaires a également ouvert un éventail important devant les industriels permettant la conception de nouveaux matériaux possédant de nouvelles propriétés.