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dc.contributor.authorLARABI, Yasmina-
dc.date.accessioned2022-11-03T10:23:42Z-
dc.date.available2022-11-03T10:23:42Z-
dc.date.issued2021-07-07-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/3520-
dc.description.abstracte travail de ce mémoire a été principalement réalisé par la méthode FP- (L)APW+lo implémentée dans le code WIEN2k avec plusieurs autres modèles théoriques dans le but d’effectuer une étude détaillée sur l’analyse de l’anisotropie élastique afin de déterminer les directions pour lesquelles CuInS2 est élastiquement plus anisotrope/isotrope. Pour effectuer cette analyse, qui représente l’objectif principal de notre étude à cause de son originalité, le modèle théorique adopté est basé sur la détermination des constantes élastiques Cij qui nécessite une étude structurale basée sur l’estimation des paramètres de réseau à l’équilibre statique. Cette étude contient aussi une partie qui traite les propriétés électroniques qui ont été estimées par des potentiels récemment développés dans le but de mettre en évidence le comportement semiconducteur à faible gap de la chalcopyrite CuInS2en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisheruniversité ibn khaldoun-tiareten_US
dc.subjectLes matériaux chalcopyrites,Les avantages de la structure cristalline des composés chalcopyrites,Le matériau CuInS2,La structure cristalline du CuInS2,LA THEORIE DE LA FONCTIONNELLE DE LA DENSITE,La Méthode des ondes planes augmentées linéarisées (FP-LAPW).en_US
dc.titleÉtude de l’anisotropie élastique et des propriétés de l’anisotropie élastique et des propriétés électroniques électroniques de la chalcopyrite de la chalcopyrite de la chalcopyrite CuInS2en_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master

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