Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/3428
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dc.contributor.authorBECHTOUL, Rahmouna-
dc.date.accessioned2022-11-02T09:35:22Z-
dc.date.available2022-11-02T09:35:22Z-
dc.date.issued2020-10-07-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/3428-
dc.description.abstractLes études théoriques et les simulations numériques ont joué un rôle important et ont permis le développement des nouveaux matériaux, considérés comme étant des candidats potentiels, pour des nouveaux dispositifs et diverses applications. A travers les études ab-initio, il est devenu possible d’accéder aux différentes propriétés physiques et d’offrir aux expérimentateurs une base de données des matériaux semiconducteurs possédant des propriétés difficilement inaccessibles, de point de vue expérimental.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisheruniversité ibn khaldoun-tiareten_US
dc.subjectles semi-conducteur,La théorie de la fonctionnelle de la densité.en_US
dc.titlePrédiction des propriétés structurales et électroniques de BxIn1-xNyAs1-y utilisant le code de calcul wien2ken_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master

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