Contribution à l’étude des propriétés structurales et électroniques du BxIn1-xAs

Abstract

Dans notre travail on a utilisés une simulation numérique basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), utilisant la méthode des ondes planes augmentées et linéarisées à potentiel complet (FP-LAPW) implémentée dans le code de calcul WIEN2k. Dans cette approche l’approximation du Gradient Generalise (GGA) a été utilisée pour la détermination du potentiel d’échange et de corrélation. Dans un premiers temps nous avons effectué une étude des propriétés structurales et électroniques Le calcul de la structure de bandes a montré l’existence d’un gap direct au point (G- G) pour InAs et les alliages BxIn1-x As jusqu’au pourcentage 77% du Bore, tandis qu’au-delà de ce pourcentage l’alliage est devenu à gap indirect suivant ( G -X) notamment la variation de grandeurs structurales. La déviation des paramètres de maille et des modules de compressibilité en fonction de la concentration par rapport à la loi de végard a été observée pour les alliages. On a étudié la variation du gap d?énergie en fonction de la concentration.