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dc.contributor.authorBENRABAH, Bedhiaf-
dc.date.accessioned2026-01-20T13:46:49Z-
dc.date.available2026-01-20T13:46:49Z-
dc.date.issued2002-02-18-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/16967-
dc.descriptionFrom alcoxides prepared in laboratory, thin layers of dioxide of SnO2 doped with antimony, have been obtained using the dipcoating method of sol-gel. Theses layers have been characterized with respect to environmental conditions during the traction phase of the process. Among other parameters, the rate of relative humidity has been revealed to the main factor for the dip-coating method. The characterization has been carried upon the obtained films by using. The spectrometry ultraviolet-visible and infra-red, electrical conductivity and electronic microscopy.en_US
dc.description.abstractA partir des alcoxides préparés dans le laboratoire, des couches minces de bioxyde de SnO2 dopés à l’antimoine ont été déposés en utilisant la méthode trempage retrait de sol-gel. Ces couches ont été caractérisées par rapport aux conditions environnementales pendant la phase de traction du processus. Parmi d’autres paramètres, le rapport d’humidité relative pour la méthode “Dip-coating” s’est avéré un facteur principal. La caractérisation a été effectué sur les films obtenus, en utilisant : La spectrophotométrie ultra violet-visible et infrarouge, la conductivité électrique et la microscopie optique.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité IBN-KHALDOUNen_US
dc.subjectSol-gel – couches minces – semi-conducteur – conductivité – optoélectronique.en_US
dc.titleSYNTHESE ET CARACTERISATION PHYSIQUE DES SOL-GEL D’OXYDE D’ETAIN DOPE A L’ANTIMOINEen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Magister

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