Efficiency of adjusting deposition parameters on growth of thin film materials by the application of electrical discharge

Abstract

es couches minces représentent une avancée qualitative dans le développement et la miniaturisation du domaine électronique ainsi que dans la production de composants électroniques. L'une des méthodes utilisées pour produire ces couches minces est la pulvérisation cathodique (sputtering). L'énergie atomique et la distribution angulaire sont des indicateurs essentiels pour améliorer la pulvérisation et, par conséquent, le dépôt. L'objectif principal de notre travail est d'étudier les effets d'autres facteurs tels que la haute pression et la haute température et la distance, qui jouent un rôle important dans la formation des films minces. Nous avons utilisé deux gaz dans notre étude pour déterminer lequel nous donne de meilleurs résultats, ainsi que trois matériaux .Nous avons également utilisé des programmes de simulation, tels que SRIM et SIMTRA, dans notre travail. A travers ces recherches, nous avons cherché à déterminer les conditions optimales pour produire des films minces de haute qualité