Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/14270
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dc.contributor.authorSebkhaoui, Zahra-
dc.date.accessioned2023-12-11T12:52:18Z-
dc.date.available2023-12-11T12:52:18Z-
dc.date.issued2023-07-07-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/14270-
dc.description.abstractDans ce mémoire, nous nous sommes intéressés à l’étude par simulation des propriétés structurales et électroniques du composé quaternaires BxGayIn1-x-yAs. La compréhension des propriétés structurales et électroniques des composés à base de semi-conducteurs semble aujourd’hui être une voie très prometteuse pour le développement de la nanotechnologie. Ainsi, les semi-conducteurs sont devenus irremplaçables et jouent un rôle très important par rapport à la révolution qu’a connue ce domaine. Les semi-conducteurs III-V sont une classe particulière des semi- conducteurs avec des propriétés contrôlées selon le besoin exprimé. Ils offrent la possibilité d’obtenir tout un panel d’alliages avec des propriétés variéesen_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité Ibn Khaldounen_US
dc.subjectsemi- conducteursen_US
dc.subjectthéorie de la fonctionnelle de la densitéen_US
dc.titleEtude par simulation des propriétés du composé quaternaire BxGayIn1-x-yAsen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master

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