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dc.contributor.authorABDICHE, Ahmed-
dc.date.accessioned2023-05-15T10:16:14Z-
dc.date.available2023-05-15T10:16:14Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/11538-
dc.description.abstractLe progrès technologique, et le développement excessive dans le domaine électronique et notamment l’optoélectronique exige des composants et des dispositifs de hautes performances. Les semi-conducteurs classiquement connus, ne peuvent répondre à de telles exigences. Les physiciens et les technologistes tournent vers de nouvelles filières de matériaux et en particulier les alliages semi-conducteurs binaires, ternaires et quaternaires. Les alliages semi-conducteurs quaternaires II-6 et III-5 Sont les plus récemment développes et à la différences des composés binaires et ternaires, les quaternaires se caractérisent par deux coefficients stoechiométriques x, y. Dans ce travail, on a présenté une études théorique générale sur les alliages semi-conducteurs où on a envisagé la préparation, la classification, la modélisation et les propriétés structurales et électroniques de ses matériaux. En deuxième lieu, on a cité les méthodes de calculs les plus couramment utilisées. Le détail à été réservé à la méthode des pseudo-potentiels empirique couplée avec la méthode du cristal virtuel (VCA) employée dans nos calculs.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité IBN KHALDOUN- Tiareten_US
dc.subjectPhase liquide LPE , phase vapeur VPE, MOCVD, structure cristalline, DLPOCen_US
dc.titleETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES D’UN ALLIAGE SEMICONDUCTEUR QUATERNAIRE GaxIn1-xAsySb1-y (modele de S. Adachi)en_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Magister

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